GAAFET技術才準備開始，下一世代CasFET技術已在開發
來源:科技新報
外媒報導，下世代半導體先進制程技術，研究人員已在開發稱為“CasFET”的制程技術，除了更低開關電壓、更低功耗和更高密度設計，新型芯片在晶體管應用難題獲得更好解決法，開發性能更優異的芯片產品。
韓國三星2020年宣布，突破3納米制程節點的關鍵技術──環繞式閘極晶體管技術（Gate-all-around，GAA），并在3月IEEE國際集成電路會議介紹技術細節。GAAFET為目前主流FinFET鰭式場效晶體管制程后繼者，重新設計晶體管并在通道四面設4柵極，使晶體管有更好絕緣性，且限制漏電，允許相同效果下應用更低電壓，晶體管更緊密。
晶體管結構使設計人員借調節晶體管通道寬度精確調整，以實現高性能或低功耗要求。GAAFET技術采較寬納米片，更高功率下有更高性能，采用較薄/窄納米片可降低功耗和性能。雖距采用GAAFET技術大量生產還有一段時間，改進制程技術方面仍沒有停歇，更新CasFET技術也在研發。
外媒《TomsHardware》報導，美國普渡大學研究人員正努力硅基半導體，借名為CasFET技術生產的新型晶體管，可達成更低開關電壓、更低功耗和更高密度設計。研究人員表示，過去8年晶體管發展遭遇很多挑戰，性能更新速度也減緩，也讓新處理器設計和制造越來越困難。
CasFET技術很可能是晶體管技術發展的下一步。超晶格層（Superlittice）是突破性新設計，架構垂直于晶體管傳輸方向，促進晶體管小型化，并允許更精細電壓控制。研究團隊正在開發第一個采用CasFET技術的晶體管原型，處于整體結構設計階段。未來希望成本、材料可用性、性能和晶體管制造升級便利性找到平衡點。技術研發似乎有相當突破，普渡大學已向美國專利和商標局申請專利保護。
