Cmos優勢物料推選九：CMD170P03A
CMD170P03A是Cmos通過控制載流子溝道物理尺寸（ChannelWidth/Channel Length），并采用溝槽工藝制造而成的一款金屬氧化物半導體場效應晶體管。典型的特點是，具有更小的寄生電容，更優秀的開關響應性，更低的導通內阻RDSON等特性。無論是MOS管自身的轉換效率還是能耗都得到優化，成為Cmos綠色發展的又一明星產品。
封裝形式
基礎參數
核心優勢
CMD170P03A是一款擊穿電壓BVDSS=-30V，采用溝槽工藝制造的場效應晶體管，在環境溫度為25℃條件下，流過MOS管的源漏電流高達-120A，具有卓越的功率輸送能力。提供TO-252、TO-251兩種封裝，封裝如圖所示。這兩種封裝背部加裝較大散熱片，具有優秀的散熱能力,保證了晶體管在大電流高功率飽和導通工作條件下的熱管理能力。卓越的功率傳遞能力和優秀的散熱設計使其在電機控制，電源DC-DC模塊及負載開關控制等應用電路中被廣泛采用，表現可靠穩定。
低優值系數：降低能耗，提升傳遞效率
優值系數FOM=QG×RDSON，QG值反映了場效應晶體管的開關動態特性，RDSON是MOS管導通后的靜態特性，FOM反映場效應晶體管的動態特性和靜態能耗整體的轉換效率。作為高頻次開關，場效應晶體管自身電能損耗和開關響應速度是體現其性能優良的關鍵指標參數。尤其是無源供電設備，低功耗和高轉換效率的元器件在應用中更具有實際意義，能有效延長設備運行時間。
場效應晶體管在實際電路中與負載形成串聯應用的拓撲結構，在飽和導通之后，可以等效為一個串聯電阻，其等效電路圖如下圖所示，
MOS管自身的帶載能力與其內阻和電流成正相關。由串并聯電路相關定理得到漏極和源極電流越大，內阻越小場效應晶體管帶載能力越強。分析上圖場效應晶體管等效電路圖，MOS管在導通后，其回路是 VCC→RDSON→RL→GND。根據歐姆定律，串聯電路中的電阻分壓大小與電阻阻值大小成正比，電阻值越大電阻兩端壓降越大。電阻值越小，電阻兩端壓降越小，因為電阻與負載等效為串聯結構，所以負載上分得的電壓就越高，進而可以帶動更大功率的負載。 從場效應晶體管元器件角度考慮，其內阻越大，電路中消耗的功率越多，管子越容易發熱，并且壽命變短，甚至出現炸管現象；內阻越小，負載產生的分壓越多，獲得的電能就越大，帶載能力則越強。所以，一般選用內阻較低的MOS管。 如下表為CMD170P03A Product DataSheet
由DataSheet可得，CMD170P03A飽和導通內阻RDSON不超過4.5MΩ，這種低阻值，無論是靜態待機狀態還是動態工作過程均有效降低了電路中電能損耗且在實際應用中提高了電能的轉換效率，成為BMS，電機馬達，燈控行業的優秀物料之選。文末還需要提醒一點，CMD170P03A是P溝道場效應晶體管，P溝道因為其特點往往在電路中具有很強的驅動能力，不需要專門設計驅動電路，實現了應用方案的輕量化設計。
Cmos半導體是優質的國產半導體企業，擁有完備的半導體生產工藝，先進的封測設備，有著豐富的半導體產品和不同型號。產品分布廣泛，性能可靠穩定，有著較強的品牌影響力和市場份額。
Cmos產品有：MOS場效應晶體管管，晶閘管，IGBT，三端穩壓芯片，三極管，二極管等。
Cmos產品應用領域如下表所示：
更多型號資料請聯系在線客服或登錄Cmos官網，可索取樣品及報價、技術支持等服務。
