850V超結(jié)MOS：CMF85R290R
850V超結(jié)MOS：CMF85R290R
CMF85R290R是采用Cmos先進(jìn)超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET，實(shí)現(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，通過(guò)使用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)，提供更高的效率。這些友好的器件設(shè)計(jì)提供了低EMI和低開(kāi)關(guān)損耗的優(yōu)勢(shì)。非常適合充電器、適配器及各類開(kāi)關(guān)切換模式電源。
卓越的電氣特性
CMF85R290R的主要電氣特性包括：
高耐壓能力：CMF85R290R的耐壓（BVDSS）為850V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）為19A。
雪崩能量：CMF85R290R采用Cmos先進(jìn)超級(jí)結(jié)技術(shù)，100%雪崩能量測(cè)試，單次雪崩能量EAS為29.4mJ。
低EMI：CMF85R290R采用先進(jìn)超級(jí)結(jié)技術(shù)，應(yīng)用時(shí)具有低EMI的特點(diǎn)。
低熱阻：CMF85R290R采用TO-220F封裝，具有良好的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為2.9℃/W，有良好的散熱能力。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMF85R290R的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.26Ω。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高電路的能效，使得在開(kāi)關(guān)電源電路應(yīng)用中效率更高。
低開(kāi)關(guān)損耗：低QG、較小的CISS，使其具有優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能，較小的開(kāi)關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMF85R290R 由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用電路，包括不限于充電器、適配器及各類開(kāi)關(guān)切換模式電源。MOS管的低熱阻、低導(dǎo)通電阻直接決定管子工作時(shí)的低溫升、高可靠性、高能效；低QG、低結(jié)電容，使管子有較好的開(kāi)關(guān)特性及低開(kāi)關(guān)損耗。通過(guò)優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMF85R290R中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
